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1 反滲透膜元件的污染與清洗

在正常運行一段時間后，反滲透膜元件會受到給水中可能存在的懸浮物或難溶鹽的污染，這些污染中常見的是碳酸鈣沉淀、硫酸鈣沉淀、金屬(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)氧化物沉淀、硅沉積物、無機或有機沉積混合物、NOM天然有機物質(zhì)、合成有機物(如：阻垢劑/分散劑，陽離子聚合電解質(zhì))、微生物 (藻類、霉菌、真菌)等污染。

污染性質(zhì)和污染速度取決于各種因素，如給水水質(zhì)和系統(tǒng)回收率。通常污染是漸進發(fā)展的，如不盡早控制，污染將會在相對較短的時間內(nèi)損壞膜元件。當(dāng)膜元件確證已被污染，或是在長期停機之前，或是作為定期日常維護，建議對膜元件進行清洗。

當(dāng)反滲透系統(tǒng)（或裝置）出現(xiàn)以下癥狀時，需要進行化學(xué)清洗或物理沖洗：

在正常給水壓力下，產(chǎn)水量較正常值下降10～15%；

為維持正常的產(chǎn)水量，經(jīng)溫度校正后的給水壓力增加10～15%；

產(chǎn)水水質(zhì)降低10～15%，透鹽率增加10～15%；

給水壓力增加10～15%；

系統(tǒng)各段之間壓差明顯增加。

保持穩(wěn)定的運行參數(shù)主要是指產(chǎn)水流量、產(chǎn)水背壓、回收率、溫度及TDS。如果這些運行參數(shù)起伏不定，建議檢查是否有污染發(fā)生，或者在關(guān)鍵運行參數(shù)有變化的前提下反滲透的實際運行是否正常。

定時監(jiān)測系統(tǒng)整體性能是確認(rèn)膜元件是否已發(fā)生污染的基本方法。污染對膜元件的影響是漸進的，并且影響的程度取決于污染的性質(zhì)。表1“反滲透膜污染特征及處理方法”列出了常見的污染現(xiàn)象和相應(yīng)處理方法。

已受污染的反滲透膜的清洗周期根據(jù)現(xiàn)場實際情況而定。正常的清洗周期是每3-12個月一次。

當(dāng)膜元件僅僅是發(fā)生了輕度污染時，重要的是清洗膜元件。重度污染會因阻礙化學(xué)藥劑深入滲透至污染層，影響清洗效果。

清洗何種污染物以及如何清洗要根據(jù)現(xiàn)場污染情況而進行。對于幾種污染同時存在的復(fù)雜情況，清洗方法是采用低PH和高PH的清洗液交替清洗（應(yīng)先低PH后高PH值清洗）。

2 污染情況分析

碳酸鈣垢：

碳酸鈣垢是一種礦物結(jié)垢。當(dāng)阻垢劑/分散劑添加系統(tǒng)出現(xiàn)故障時，或是加酸pH調(diào)節(jié)系統(tǒng)出故障而引起給水pH增高時，碳酸鈣垢有可能沉積出來。盡早地檢測碳酸鈣垢，對于防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是極為必要的。早期檢測出的碳酸鈣垢可由降低給水的pH值至3~5，運行1~2小時的方法去除。對于沉積時間長的碳酸鈣垢，可用低pH值的檸檬酸溶液清洗去除。

硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢：

硫酸鹽垢是比碳酸鈣垢硬很多的礦物質(zhì)垢，且不易去除。硫酸鹽垢可在阻垢劑/分散劑添加系統(tǒng)出現(xiàn)故障或加硫酸調(diào)節(jié)pH時沉積出來。盡早地檢測硫酸鹽垢對于防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是極為必要的。硫酸鋇和硫酸鍶垢較難去除，因為它們幾乎在所有的清洗溶液中難以溶解，所以，應(yīng)加以特別的注意以防止此類結(jié)垢的生成。

金屬氧化物/氫氧化物污染：

典型的金屬氧化物和金屬氫氧化物污染為鐵、鋅、錳、銅、鋁等。這種垢的形成導(dǎo)因可能是裝置管路、容器(罐/槽)的腐蝕產(chǎn)物，或是空氣中氧化的金屬離子、氯、臭氧、鉀、高錳酸鹽，或是由在預(yù)處理過濾系統(tǒng)中使用鐵或鋁助凝劑所致。

聚合硅垢：

硅凝膠層垢由溶解性硅的過飽和態(tài)及聚合物所致，且非常難以去除。需要注意的是，這種硅的污染不同于硅膠體物的污染。硅膠體物污染可能是由與金屬氫氧化物締合或是與有機物締合而造成的。硅垢的去除很艱難，可采用傳統(tǒng)的化學(xué)清洗方法。如果傳統(tǒng)的方法不能解決這種垢的去除問題，請與海德能公司技術(shù)部門聯(lián)系�，F(xiàn)有的化學(xué)清洗藥劑，如氟化氫銨，已在一些項目上得到了成功的使用，但使用時須考慮此方法的操作危害和對設(shè)備的損壞，加以防護措施。